CN119866038A 一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-29 发布于重庆
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CN119866038A 一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119866038A

(43)申请公布日2025.04.22

(21)申请号202510347573.X

(22)申请日2025.03.24

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405(自主分割)

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构北京鑫浩联德专利代理事务

所(普通合伙)11380

专利代理师刘加龙

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

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