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2026年(微电子工艺技术员)微电子工艺技术试题及答案

第一部分：单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填在括号内。）

1.在硅晶体生长过程中，目前用于制造大规模集成电路的主流硅晶圆通常采用（）晶面。

A.(111)

B.(100)

C.(110)

D.(120)

2.直拉法（Czochralski,CZ）生长单晶硅时，为了抑制氧沉淀，通常在坩埚内壁涂覆一层（）。

A.氮化硅

B.二氧化硅

C.多晶硅

D.氧化铝

3.在半导体制造中，用于去除光刻胶的工艺步骤称为（）。

A.显影

B.坚膜

C.去胶

D.软烘

4.热氧化工艺中，干法氧化与湿法氧化相比，其主要特点是（）。

A.生长速度快，氧化层结构致密

B.生长速度慢，氧化层结构致密

C.生长速度快，氧化层结构疏松

D.生长速度慢，氧化层结构疏松

5.离子注入工艺中，为了减少沟道效应，通常采取的措施不包括（）。

A.倾斜晶圆

B.旋转晶圆

C.预非晶化注入

D.提高注入能量

6.物理气相沉积（PVD）中，溅射工艺与真空蒸发工艺相比，其显著优势是（）。

A.沉积速率极高

B.台阶覆盖性好

C.合金沉积容易保持化学计量比

D.基片温度要求低

7.化学气相沉积（CVD）工艺中，等离子体增强化