《数字集成电路 电路系统与设计（第二版）》第四章 学习笔记——互连设计.docxVIP

《数字集成电路电路系统与设计（第二版）》第四章学习笔记——互连设计

4.1章节概述

在深亚微米CMOS工艺下，晶体管本身的延时不断缩小，而芯片内部金属互连线的寄生参数引发的延时、功耗、可靠性问题成为制约集成电路性能的核心瓶颈。本章聚焦数字集成电路互连线寄生效应，详细讲解互连寄生参数的类型、物理模型、电路建模方式，以及寄生参数对芯片性能、功耗、可靠性的影响，同时给出对应的互连优化设计方法，是数字集成电路后端物理设计、时序分析、芯片优化的核心理论基础。

随着工艺尺寸缩小，互连线不再是理想导线，其自带的电阻、电容、电感寄生参数会严重影响电路工作状态，因此互连建模与优化是现代数字IC设计不可或缺的环节。

4.2互连寄生参数类型与物理特性

芯片互连线主要采用金属层、多晶硅层实现，在制程工艺下会产生三类核心寄生参数，分别为容性寄生、阻性寄生、感性寄生，三类参数共同决定互连的电气特性。

4.2.1互连电容（容性寄生）

互连电容是数字电路中影响最大、最普遍的寄生参数，主要由三种电容构成，遵循平板电容物理模型，同时存在边缘电容效应：

平板电容：金属连线与底层硅衬底、介质层之间形成的垂直电容，是互连电容的主要组成部分，电容大小与金属线宽度、介质介电常数成正比，与介质厚度成反比。

边缘电容：金属连线侧壁与周围介质、相邻结构形成的侧向电容，在窄线宽、小间距的先进工艺中，边缘电容占比大幅提升，不