应变GaN_AlGaN量子阱中受屏蔽激子压力效应的多维度探究.docx

应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子压力效应的多维度探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代半导体物理与器件研究领域，氮化镓（GaN）基材料凭借其卓越的物理化学属性，如宽带隙、高电子迁移率、高热导率以及出色的化学稳定性，在光电子和微电子领域展现出了无可替代的重要性，成为了研究的焦点。由GaN和铝镓氮（AlGaN）构成的量子阱结构，即GaN/AlGaN量子阱，更是因其独特的能级结构和电子态特性，在众多先进器件中发挥着核心作用。

在光电子领域，GaN/AlGaN量子阱广泛应用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及光电探测器等器件。以LED为例，基于GaN/AlGa