原创力文档-
MOSFET的重要特性
〔1〕为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大.而随着温
度的升高而下降.
【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体外表产生反型层〔导电沟道〕所需要加的
以这时沟道夹断之后的源漏电流近似为饱和的但是对于短沟道这种夹断区长度随源漏电压的变化量相对于整个沟道长度而言不能忽略所以沟道夹断之后的源漏电流将会明显地随着
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