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自组装单分子层构建分子器件及其输运特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，电子器件的小型化和高性能化成为了电子学领域的核心追求。传统的硅基微芯片加工工艺一直遵循自上而下的模式，不断缩小器件尺寸。然而，根据摩尔定律，当器件尺寸逼近临界尺寸时，量子效应等问题将导致传统半导体工艺不再适用，硅片中氧化层厚度在达到几个原子层时，其绝缘性能就会失效，预计半导体工艺在不久的将来就会达到这一极限尺寸。因此，寻找新的技术路径和材料体系来延续电子器件的发展，成为了科学界和产业界共同面临的紧迫任务。

在此背景下，分子电子学应运而生。分子电子学采用自下而上的模式，从原子分子尺度出发