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2025年光电子技术研发与应用手册

第1章光电子器件基础与新型材料

1.1半导体光电器件工作原理综述

光电子器件的核心在于“光生载流子”与“电生载流子”的相互转化，其基本工作原理基于半导体p-n结或异质结的能带结构特性。当光子能量大于半导体禁带宽度（$E_g$）时，光子被吸收，价带电子跃迁至导带，产生电子-空穴对，这一过程称为光电效应；反之，注入的载流子在复合过程中释放光子，即电光效应。在p-n结中，由于内建电场的存在，多数载流子被扫出结区形成耗尽层，而少数载流子则被电场驱动漂移运动，最终在两端积累形成光生电压（光生电动势）。典型的硅基光电二极管在反向偏压下，光生载流子产生的漂移电流与反向饱和电流叠加，构成可测量的光电流，其响应度$R$可近似表示为$R=\frac{q\lambda}{hc}\eta$，其中$\eta$为量子效率。

异质结器件利用不同材料间能带偏移（如Type-II异质结）来空间分离电子和空穴，从而抑制复合，提高量子效率。例如，在InGaAs/InP异质结中，电子主要分布在InGaAs组分，空穴主要分布在InP组分，这种非平衡载流子分布显著降低了复合中心密度，是高速光通信中常用的器件结构。光敏电阻（Photoconductor）利用光照改变材料导电率的现象，其原理与光电导效应类似，但通常不需要外加偏置