2025年电子元器件应用与可靠性测试手册.docx

2025年电子元器件应用与可靠性测试手册

第1章基础理论与元器件特性

1.1半导体器件工作原理概述

半导体器件（如二极管、三极管、MOSFET等）的核心工作原理依赖于PN结或沟道效应，其本质是通过控制载流子的注入、扩散或漂移来实现电流的单向导通或放大功能。以硅基二极管为例，当正向偏置电压超过0.6~0.7V时，耗尽层变窄，电子和空穴越过势垒注入对方区域，形成指数增长的电流，此时器件处于导通状态；反向偏置时，耗尽层加宽，只有极微弱的漏电流通过。三极管（BJT）的放大原理基于发射结正向偏置和集电结反向偏置的特定工作区，其中电流具有“电流控制电流”的特性。当基极注入少量少数