CN119626914A 芯片的低温键合方法 （江苏中科智芯集成科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119626914A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510157922.1

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人江苏中科智芯集成科技有限公司

地址221001江苏省徐州市经济技术开发

区创业路26号凤凰湾电子信息产业园

101-106厂房

申请人中国矿业大学

(72)发明人吕复强陈正李更龚玉峰

张奎童媛姚大平

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师杨勋

(51)Int.Cl.

H01L21/48(2006.01)

H01L21/603(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图2页

(54)发明名称

芯片的低温键合方法

(57)摘要

CN119626914A本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种芯片的低温键合方法，其包括：制备具有微凸点的上芯片，微凸点包括含Sn的低温材料；制备具有铜柱的下芯片，并降低铜柱的键合面的粗糙度；将微凸点和铜柱的键合面相对，并在真空环境下，以温度为50_150℃,压力为10_40MPa，脉冲电压为2_6V，进行键合。本发明的芯片的低温键合方法能够实现低温键合，提高键合的稳定