CN119631589A 半导体装置以及半导体装置的制造方法 （三菱电机株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631589A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202280098466.2

(22)申请日2022.08.03

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.22

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2022/0297812022.08.03

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/029001JA2024.02.08

(71)申请人三菱电机株式会社地址日本

(72)发明人汤田洋平绵引达郎

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所

有限公司11038

专利代理师许海兰

(51)Int.Cl.

H10D8/00(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D8/50(2025.01)

H10D8/60(2025.01)

权利要求书1页说明书10页附图7页

(54)发明名称

半导体装置以及半导体装置的制造方法

(57)摘要

CN119631589A抑制漏电流。半导体装置具备：第1阳电极，设置于第1导电类型的氧化镓层的上表面的一部分；第2导电类型的半导体层，覆盖氧化镓层的一部分和第1阳电极的至少一部分地设置；以及第2阳电极，覆盖半导体层地设置，在氧化镓层的表层部设置多个沟槽，第1阳