CN119767764A 一种高可靠性碳化硅沟槽型超结mosfet器件及制备方法 (复旦大学).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.63万字
  • 约 14页
  • 2026-06-01 发布于重庆
  • 举报

CN119767764A 一种高可靠性碳化硅沟槽型超结mosfet器件及制备方法 (复旦大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119767764A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411961817.5

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人复旦大学

地址200433上海市杨浦区邯郸路220号

(72)发明人马宏平丁成蹊

(74)专利代理机构北京卓胜佰达知识产权代理

有限公司16026

专利代理师杨洋

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/832(2025.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档