CN119640084A 一种多尺度SiC颗粒异质结构增强镁基复合材料的制备方法 （上海交通大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119640084A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411870770.1

(22)申请日2024.12.18

(71)申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

(72)发明人于佳新刘文才孙家伟孙鹏吴国华

(74)专利代理机构上海汉声知识产权代理有限

公司31236

专利代理师胡晶

(51)Int.Cl.

C22C1/10(2023.01)

C22C23/00(2006.01)

C22C23/02(2006.01)

C22C32/00(2006.01)

C22F1/06(2006.01)

B22F9/04(2006.01)

B22F3/02(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种多尺度SiC颗粒异质结构增强镁基复合

材料的制备方法

(57)摘要

CN119640084A本发明涉及一种多尺度SiC颗粒异质结构增强镁基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料及其制备领域。本发明通过加入稀土元素生成的原位自生第二相，微米、亚微米、纳米级SiC增强体颗粒形成由于尺寸差异构成的异质结构，以及经过后续塑性变形过程后，多尺度增强体颗粒形成层状分布特征的异质结构