CN119644086A 基于mems技术的半导体探针卡电参数提取方法及系统 （道格特半导体科技(江苏)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119644086A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411779621.4

(22)申请日2024.12.05

(71)申请人道格特半导体科技（江苏）有限公司

地址226000江苏省南通市启东市经济开

发区林洋路500号

(72)发明人刘志广刘志华黎华盛

(74)专利代理机构江苏南通启海专利商标代理事务所(普通合伙)32812

专利代理师闫娟

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

权利要求书3页说明书6页附图2页

(54)发明名称

基于MEMS技术的半导体探针卡电参数提取

方法及系统

(57)摘要

CN119644086A本发明公开了基于MEMS技术的半导体探针卡电参数提取方法及系统，涉及半导体测试技术领域，该方法包括以下组成部分：初始化设置：将MEMS探针卡对准待测晶圆上的目标测试区域，利用机械夹持装置将探针卡与晶圆牢固地固定在一起，并启动集成在探针卡中的动态传感器和反馈控制机制，本发明通过集成决策树模型与遗传算法，实现了对半导体晶圆表面特征与最佳探针接触参数的精准映射与优化，不仅提升了测试的智能化水平，还显著增强了测试过程的自适应性与稳定性，动态监测与闭环控制机制确保了探针接触参数的实时调整，有效降低