章场效应管及其放大电路.pptxVIP

3.1场效应管;引言;特点：;3.1.1结型场效应管;2.工作原理;2.UDS对ID的影响;3.UDS和UGS共同作用;3.转移特性和输出特性;3.1.2MOS场效应管;一、增强型N沟道MOSFET

(MentalOxideSemi—FET);2.工作原理;1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0);2)uDS对iD的影响(uGSUGS(th));3.转移特性曲线;4.输出特性曲线;二、耗尽型N沟道MOSFET;输出特性;三、P沟道MOSFET;N沟道增强型;;3.1.3场效应管的主要参数;;4.低频跨导gm;PDM=uDSiD，受温度限制。;3.2.3场效应管与晶体管的比较;3.2场效应管放大电路;3.2.1场效应管放大电路;栅极电阻RG的作用：;UDSQ=VDD–IDQ(RS+RD);2.图解法;;;移特性可知，gm是转移特性在静态工作点Q处;rds为场效应管的共漏极输出电阻，为输出特性在Q点处的切线斜率的倒数，如图所示，通常rds在几十千欧到几百千欧之间。;从输入端口看入，相当于电阻rgs(?)。;2.场效应管放大电路

的微变等效电路;3.2.2分压式自偏压放大电路;UDSQ=VDD–IDQ(RS+RD);四、改进电路;3