CN119815945A 一种p+区与p-区环状间隔的埋层结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法 （厦门大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815945A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411951192.4H10F71/00(2025.01)

(22)申请日2024.12.27

(71)申请人厦门大学

地址361005福建省厦门市思明南路422号

申请人厦门大学九江研究院

(72)发明人张峰刘佳洪荣墩田自谦

沈祖俊

(74)专利代理机构厦门南强之路专利事务所

(普通合伙)35200

专利代理师马应森

(51)Int.Cl.

H10F30/225(2025.01)

H10F30/223(2025.01)