半导体功率模块用DBC覆铜陶瓷基板技术要求编制说明.pdfVIP

《半导体功率模块用DBC覆铜陶瓷基板技术要求》团体标准

征求意见稿编制说明

一、任务来源

近年来，半导体功率模块对散热与可靠性的要求日益严苛，直接覆铜陶瓷基板作为关键支撑材料，其

技术发展与创新尤为活跃。该技术通过在高温环境下利用含氧共晶相实现铜层与陶瓷基片间的牢固冶金结

合，奠定了其在高压、大电流与高热流密度应用中的核心地位。

在材料体系上，覆铜陶瓷基板已从早期普遍采用的氧化铝陶瓷，逐步向高热导率的氮化铝陶瓷以及兼

具优异机械强度和热匹配性的氮化硅陶瓷扩展。氮化硅陶瓷基板因其热膨胀系数与第三代半导体材料碳化

硅极为接近，显著降低了热应力，成为高功率密度碳化硅模块的理想选择。为克服氮化铝陶瓷表面不易与

铜直接浸润的难题，活性金属钎焊工艺被引入并成熟应用，通过活性焊料实现了铜箔与陶瓷的高强度焊接，

进一步提升了基板在极端工况下的可靠性。

制造工艺方面，围绕降低键合空洞率与控制热应力引发的翘曲变形，涌现出多项专有技术。例如，通

过铜箔预处理改善高温键合时的润湿性，以及采用冷热阶梯循环冷却工艺有效释放内应力，确保了基板的

平整度与长期稳定性。针对图形加工，创新的单次蚀刻方法能够同步形成表面的精细线路与背面的半蚀刻

槽，通过精确调控双面铜体积比，从根本上抑制了后续封装与温度循