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- 2026-06-04 发布于北京
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2013年3月
FDB390N15AN沟道PowerTrench®
MOSFET150V,27A,39m
特性描述
=33=10=27®
•导通电阻.5m（典型值）@VGSV,IDA此N沟道MOSFET采用FairchildSemiconductor的先进
®
•快速开关速度PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，旨在最小化导通电
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