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2022长鑫存储校招在线测评真题及答案解析

一、单项选择题(总共10题，每题2分)

1.DRAM的基本存储单元通常由（）组成

A.两个MOSFET和一个电阻

B.一个MOSFET和一个电容

C.两个电容和一个电阻

D.一个BJT和一个电容

2.半导体器件中最常用的单质材料是（）

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.氮化镓

3.CMOS工艺中，用于定义器件有源区的关键步骤是（）

A.栅极光刻

B.有源区隔离（如STI）

C.源漏注入

D.金属化

4.影响DRAM存储密度的核心因素是（）

A.存储单元的面积

B.芯片的封装形式

C.电源电压的高低

D.刷新频率的快慢

5.长鑫存储DRAM芯片常用的封装类型是（）

A.DIP

B.SOP

C.BGA

D.QFP

6.MOSFET的阈值电压主要受以下哪个因素影响（）

A.源极电压

B.栅氧化层厚度

C.漏极电流

D.沟道长度

7.DRAM需要定期刷新的主要原因是（）

A.电容漏电导致电荷流失

B.逻辑电路需要同步

C.存储单元的磨损

D.电源波动的影响

8.光刻工艺中，提高分辨率的关键因素不包括（）

A.光刻胶的感光度

B.曝光光源的波长

C.光刻胶的颜色

D.投影物镜的数值孔径

9.半导体掺杂中，通过气态源向硅片表面引入杂质的方法是（）

A.固相掺杂

B.气相掺杂

C.离子注入

D.扩散掺杂

10.存储器中的“软错误”主