CN202380103497.7-半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置-发明公开.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约4.27万字
  • 约 36页
  • 2026-06-04 发布于重庆
  • 举报

CN202380103497.7-半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置-发明公开.pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN122139458A

(43)申请公布日2026.06.02

(21)申请号202380103497.7(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

(22)申请日2023.11.07

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2026.04.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0400732023.11.07

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2025/099828JA2025.05.15

(71)申请人三菱电机株式会社

地址日本

(72)发明人海老原洪平

(74

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档