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半导体器件试题集及答案

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

本征半导体在绝对零度条件下的导电特性符合以下哪一项描述

A.自由电子浓度远大于空穴浓度

B.空穴浓度远大于自由电子浓度

C.不存在可参与导电的载流子，整体等效为绝缘体

D.导电能力达到所有温度区间内的最大值

答案：C

解析：本征半导体的载流子全部由价带电子热激发到导带产生，绝对零度下所有价电子都被共价键完全束缚，没有自由电子和空穴，因此载流子浓度为零，等效为绝缘体。选项A描述的是N型杂质半导体的载流子分布特性，选项B描述的是P型杂质半导体的载流子分布特性，选项D错误在于本征半导体的导电能力随温度升高指数上升，绝对零度下是导电能力最弱的状态。

PN结内建电场的指向方向是以下哪一项

A.从P区指向N区

B.从N区指向P区

C.平行于PN结结面的横向方向

D.不存在固定指向

答案：B

解析：PN结空间电荷区中N区一侧带正电、P区一侧带负电，电场方向由正电荷指向负电荷，因此整体从N区指向P区。选项A是正向偏置外接电场的指向，选项C内建电场为垂直结面的纵向电场，不存在横向分量，选项D明显不符合PN结的基础物理特性。

双极型晶体管BJT能够实现电流放大的核心前提是以下哪一项

A.集电结正向偏置、发射结反向偏置

B.发射结正向偏置、集电结反向偏置

C.发射结和集电结同时正向偏置

D.发射结和集电结同时