T∕CASAS 005-2025 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约8.21千字
  • 约 22页
  • 2026-06-08 发布于河北
  • 举报

T∕CASAS 005-2025 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法.docx

ICS31.080.30CCSL44

团体标准

T/CASAS005—2025代替T/CASAS005—2022

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)动态导通电阻测试方法多脉冲硬开关法

Dynamicon-resistancetestmethodforGaNhighelectronmobility

transistor(HEMT):multi-pulsehard-switchingtechnique

2025-12-30发布

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档