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CN119653842A 屏蔽栅沟槽mosfet的元胞结构及其制作方法 （中国电子科技集团公司第二十四研究所）.docxVIP

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  • 2026-06-08 发布于山西
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CN119653842A 屏蔽栅沟槽mosfet的元胞结构及其制作方法 （中国电子科技集团公司第二十四研究所）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119653842A

    (43)申请公布日2025.03.18

    (21)申请号202411866043.8

    (22)申请日2024.12.18

    (71)申请人中国电子科技集团公司第二十四研究所

    地址400060重庆市南岸区南坪花园路14

    号

    (72)发明人廖文龙张广胜张培健朱坤峰杨伟洪敏易孝辉钱坤

    唐新悦

    (74)专利代理机构重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)50221

    专利代理师唐龙波

    (51)Int.Cl.

    H10D62/10(2025.01)

    H10

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