CN119653846A 半导体结构的形成方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.95万字
  • 约 30页
  • 2026-06-08 发布于山西
  • 举报

CN119653846A 半导体结构的形成方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653846A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311183078.7

(22)申请日2023.09.13

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区张江路18号

(72)发明人纪世良

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师高静

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

权利要求书2页

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档