CN119864321A 半导体结构的刻蚀方法、半导体器件及电子设备 （杭州富芯半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119864321A

(43)申请公布日2025.04.22

(21)申请号202411924906.2

(22)申请日2024.12.25

(71)申请人杭州富芯半导体有限公司

地址311418浙江省杭州市富阳区灵桥镇

滨富大道135号（滨富合作区）

(72)发明人郭哲

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师方秀琴

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

权利要求书2页说明书13页附图6页

(54)发明