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CN119653833A 一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-06 发布于山西
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CN119653833A 一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119653833A

    (43)申请公布日2025.03.18

    (21)申请号202510181639.2

    (22)申请日2025.02.19

    (71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

    地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

    航钱路168号3幢4层405（自主分割）

    (72)发明人许一力李鑫刘倩倩

    (74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代理有限公司44795

    专利代理师武世雄

    (51)Int.Cl.

    H10D30/66(2025.01)

    H10D62/10(2025.01

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