1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN119653882A 优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法 （山西创芯光电科技有限公司）.docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约8.79千字
  • 约 20页
  • 2026-06-06 发布于山西
  • 举报

CN119653882A 优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法 （山西创芯光电科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119653882A

    (43)申请公布日2025.03.18

    (21)申请号202510169557.6

    (22)申请日2025.02.17

    (71)申请人山西创芯光电科技有限公司

    地址030000山西省太原市小店区南内环

    街16号二号厂房一层

    (72)发明人张竟张培峰苏莹刘明昊李水利王慧云王书浩

    (74)专利代理机构太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙)14109

    专利代理师孟肖阳冷锦超

    (51)Int.Cl.

    H10F39/12(2025.01)

    权利要

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >