CVD法硅碳负极用多孔碳, 2025年前13大企业.docxVIP

全球市场研究报告

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CVD法硅碳负极用多孔碳产品概述

硅碳负极具有高首效，低成本等优势，但是过去膨胀力较大，影响了循环寿命改善主要是通过减小硅的尺寸至纳米级别进而减小材料膨胀影响，目前硅碳负极合成主要分为三种主流路线，分别为机械球磨法、高温热解法以及化学气相沉积法（CVD）。

机械球磨法将合适的硅源与碳源，利用球磨机对混合物进行球磨，完成后再进行烧结。机械球磨法将硅材料研磨至纳米级别，从而实现硅碳的均匀混合，可一定程度上解决循环问题。机械球磨法可以明显提高材料的电化学性能，工艺简单，可以大规模生产，但由于研磨过程中硅颗粒容易团聚，导致材料的循环性能欠佳。机械球磨法生产的硅碳负极也叫硅氧负极，本报告中不作为硅碳负极用多孔碳的下游应用对象。

CVD法是通过多孔碳骨架来储硅，并通过多孔碳内部的空隙来缓冲硅嵌锂过程中的体积膨胀，因此膨胀率低，循环优异，并且碳骨架本身密度小质量轻，使得材料能量密度高。CVD法硅碳负极搭配多孔碳基底，有效的改善了膨胀率和循环寿命问题，其性能领先、发展潜力较大，将成为下一代硅碳主流工艺路线。

CVD法硅碳负极用多孔碳定义：

多孔碳为硅碳负极的碳骨架，具备比表面积高、微观形貌可控、孔洞结构丰富、导电性良好、稳定性高等优点，高比表面积使多孔碳能结合更多锂离子，为锂离子电池提