CN119654981A 采用旁路金属迹线信号布线的深沟槽电容器（dtc）以及相关的集成电路（ic）封装和制造方法 （高通股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119654981A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202380054580.X

(22)申请日2023.07.26

(30)优先权数据

17/816,5022022.08.01US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0710352023.07.26

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/030802EN2024.02.08

(71)申请人高通股份有限公司地址美国加利福尼亚州

(72)发明