CN119352146A 一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用 (大连理工大学).pdfVIP

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  • 2026-06-06 发布于重庆
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CN119352146A 一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用 (大连理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119352146A

(43)申请公布日2025.01.24

(21)申请号202411932830.8

(22)申请日2024.12.26

(71)申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市高新园区凌工

路2号

(72)发明人张慧敏蔡永青武梓轩刘云龙

赵纪军

(74)专利代理机构大连东方专利代理有限责任

公司21212

专利代理师周媛媛李馨

(51)Int.Cl.

C30B23/02(2006.01)

C30B29/52(2006.01)

H01F41/20(2006.01)

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