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512K x 16高速CMOS静态RAM技术手册.pdfVIP

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  • 2026-06-07 发布于北京
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512K x 16高速CMOS静态RAM技术手册.pdf

    IS61WV51216ALL

    IS61WV51216BLL

    IS64WV51216BLL

    512Kx16高速异步CMOS静态RAM，3.3V供

    电2009年10月

    特性描述

    •高速时间：8、10、该ISSIIS61WV51216ALL/BLL和IS64

    20纳秒WV51216BLL是高速、8M位静态RAM，组织为512K字

    •高性能、低功耗CMOS工艺×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度

    •多个电源和地引脚，提高抗噪性能可靠的工艺结合创新的电路设计技术，生产出高性能和低

    功耗的器件。

    •通过CE和OE选项轻松扩展内存

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