CN119661930A 半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆 （北京怀柔实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119661930A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202510185768.9

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人北京怀柔实验室

地址101400北京市怀柔区杨雁东一路8号

(72)发明人李圣驿乔健涂必冬陈赟

杨威杨入云王嘉尧胡佳娜

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师李美

(51)Int.Cl.

C08L23/0869(2025.01)

C08L23/06(2006.01)

C08K3/04(2006.01)

C08K9/00(2006.01)

C08K5/14(2006.01)

H01B9/02(2006.01)

H01B11/06(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书2页说明书16页附图5页

(54)发明名称

半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反

应设备、电缆

(57)摘要

CN119661930A本申请涉及电缆技术领域，具体涉及半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆。以重量份数计，本申请半导电屏蔽料包括55份~65份的乙烯基树脂基体、1.5份~2份的交联剂以及30份~40份的填料