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氧化锌低维结构：制备技术、物性特征与应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与半导体技术迅猛发展的浪潮中，低维结构材料凭借其独特的物理性质和广阔的应用前景，成为了众多科研工作者关注的焦点。作为一种重要的宽禁带半导体材料，氧化锌（ZnO）的低维结构更是在半导体领域占据着举足轻重的地位。

ZnO的禁带宽度约为3.37eV，具有高达60meV的激子束缚能，这赋予了它在室温下实现高效激子发射的能力，为紫外光电器件的发展提供了理想的材料基础。其出色的压电特性，能够实现机械压力与电信号之间的相互转换，在传感器、微机电系统（MEMS）等领域展现出巨大的应用潜力。而且，Z