CN119815879A 一种沟槽型碳化硅器件及其制备方法 (南京南瑞半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-09 发布于重庆
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CN119815879A 一种沟槽型碳化硅器件及其制备方法 (南京南瑞半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815879A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411911930.2H10D62/10(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

(22)申请日2024.12.24

H10D64/01(2025.01)

(71)申请人南京南瑞半导体有限公司H10D30/01(2025.01)

地址211106江苏省南京市江宁经济开发

区诚信大道19号2幢

申请人国网江西

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