1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子电气自动化

笔记本电源管理用沟道增强型场效应晶体管特性概述.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约9.38万字
  • 约 12页
  • 2026-06-10 发布于北京
  • 举报

笔记本电源管理用沟道增强型场效应晶体管特性概述.pdf

    1996年9月初步版

    N

    NDH8501N

    DualN沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    SupeTM功率场效应晶体管采用国

    rSOT‑8N沟道增强型

    2.8A，30V。R=0.07@V=10

    DS(ON)GS

    家特有的高单元密度DMOS技术制造。这种高VR=0.1@V=4.5V。

    DS(ON)GS

    密度工艺特别设计用于最小化导通电阻。这些器件特别

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >