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光电子技术与设备手册

第1章光电子技术与设备手册

1.1半导体能带理论与载流子输运

能带理论是光电子学的基石，它描述了固体中电子的能量状态分布。在绝对零度下，价带中的电子被束缚，导带为空，两者之间的禁带宽度（$E_g$）决定了材料的导电性。对于本征硅（Si），$E_g\approx1.12\text{eV}$，而在高温下，热激发产生的电子-空穴对会填充部分禁带，使材料呈现半导体特性。载流子包括自由电子和空穴，它们在外电场作用下的运动遵循漂移和扩散规律。当光照射到半导体表面时，光子能量若大于禁带宽度，即可激发电子从价带跃迁至导带，形成光生电子-空穴对。这些载流子的浓度与光强成正比，且遵循光电流与入射光功率的线性关系，直到发生饱和。

在PN结中，多数载流子扩散形成空间电荷区，产生内建电场，阻止多数载流子进一步扩散，从而形成耗尽层。当光照射时，光生载流子被内建电场分离，电子向N区移动，空穴向P区移动，形成光生电压。若外加电压方向正确，光生电流将叠加在暗电流上，形成可测量的光电电流。载流子在半导体中的复合机制主要包括辐射复合和非辐射复合。辐射复合释放光子，其速率与载流子浓度成正比；非辐射复合则通过声子能量释放，主要发生在缺陷态或金属杂质附近。复合过程导致光生载流子消失，其时间常数（寿命）决定了器件的光电响应速度。输运过程中的载流子散射是限制器件性能的