CN119678672A 半导体装置及半导体装置的制造方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119678672A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202380058212.2

(22)申请日2023.07.27

(30)优先权数据

2022-1272412022.08.09JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.07

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/IB2023/0576092023.07.27

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/033739JA2024.02.15

(71)申请人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川县厚木市

(72)发明人神长正美中田昌孝岛行德

土桥正佳肥冢纯一黑崎大辅

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

司72001

专利代理师何欣亭陈岚

(51)Int.Cl.

H10D84/83(2025.01)

G09F9/00(2006.01)

G09F9/30(2006.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D84/80(2025.01)

H05B33/02(2006.01)

H10K50/10(2023.01)

权利要求书