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8A 500V N沟道功率MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-11 发布于北京
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8A 500V N沟道功率MOSFET特性与应用.pdf

    IRF840

    数据表1999年7月文件编号2312.3

    8A，500V，0.850欧姆，N沟道功率MOSFET特性

    •8A,500V

    这种N沟道增强型硅栅极功率场效应晶体管是一种先进的功=0

    •rDS(导通).850

    率MOSFET，设计、测试在雪崩击穿模式下承受指定

    •雪崩能量额定值

    的能量水平。所有这些功率MOSFET都适用于需要高速和低

    栅极驱动功率的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱

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