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半导体器件设计与制造手册

第1章半导体器件基础与物理原理

1.1能带理论与载流子统计分布

在绝对零度（0K）下，价带被完全填满，导带完全为空，且两者之间没有能量间隙，此时半导体表现为绝缘体。随着温度升高，价带电子获得热能跃迁至导带，形成自由电子和空穴，导带与价带之间出现禁带宽度（$E_g$）。对于硅（Si），$E_g$约为1.12eV；对于砷化镓（GaAs），$E_g$约为1.42eV，这意味着GaAs的禁带较宽，其热导率和载流子迁移率通常高于Si。在热平衡状态下，导带电子服从费米-狄拉克分布，即$f(E)=\frac{1}{1+e^{(E-E_F)/k_BT}}$，其中$E_F$为费米能级，$k_B$为玻尔兹曼常数，$T$为绝对温度。当$E-E_Fk_BT$时，电子概率极低；当$E-E_F-k_BT$时，空穴概率极高。对于本征半导体，费米能级$E_F$位于禁带中央附近，且随温度升高而向价带移动。

载流子统计分布决定了半导体中电子和空穴的浓度。本征载流子浓度$n_i$与温度呈指数关系，遵循公式$n_i=\sqrt{N_cN_v}e^{-E_g/2k_BT}$，其中$N_c$和$N_v$分别为导带和价带的有效状态密度。例如，在300K时，硅的$n_i$约