30V 3.5A N沟道MOSFET APM2306特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-11 发布于北京
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N沟道增强型MOSFET

特性引脚描述

•30V/3.5A,R=70m(典型值)@V=5D

导通电阻栅源极

=42=10

VRDS(ON)m(典型值)@VGSV3

•密度单元设计

•高功率和大电流处理能力

•SOT‑23封装

12

GS

应用

SOT‑23顶部视图

•开关稳压器

•开关转换器

订购和标记信息

APM2306

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