- 3
- 0
- 约6.09万字
- 约 20页
- 2026-06-11 发布于北京
- 举报
N沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•30V/3.5A,R=70m(典型值)@V=5D
导通电阻栅源极
=42=10
VRDS(ON)m(典型值)@VGSV3
•密度单元设计
•高功率和大电流处理能力
•SOT‑23封装
12
GS
应用
SOT‑23顶部视图
•开关稳压器
•开关转换器
订购和标记信息
APM2306
您可能关注的文档
最近下载
- 《人工智能数据中心(AIDC)用固态变压器通用技术要求》.pdf
- 七年级下册数学期末考试卷及答案.doc VIP
- 国开EXCEL在财务中的应用形考作业(四).pdf VIP
- 2025年湖北土地规划地质测绘专业高中级职务水平能力测试(地质类·水工环)历年参考题库含答案详解.docx VIP
- 少儿英语打招呼教学课件.ppt VIP
- 垂体瘤术后并发症护理查房.pptx VIP
- GPS软件接收机基础.pdf VIP
- 食品中淀粉含量的测定——酸水解法.pptx VIP
- 2025-《公共数据授权运营新流程培训》_20250523.pdf VIP
- 国家开放大学汉语言文学本科《中国当代文学专题》期末纸质考试第三大题分析题库[2025春期版].doc VIP
原创力文档

文档评论(0)