模拟电子技术课件第1.3讲 PN结伏安特性、击穿、电容（2019.12.11）.pptxVIP

主讲人：赵洪亮博士、教授

山东科技大学首批在线课程建设项目《模拟电子技术基础》

电工电子国家级实验教学示范中心（山东科技大学）

第1.3讲PN结伏安特性、击穿、电容

参考资料：童诗白、华成英.模拟电子技术基础（第五版），p13~15，第1.1.3节

第1章常用半导体器件

一、引言

二、PN结的电流方程

三、PN结的伏安特性曲线

四、PN结的反向击穿特性

五、PN结的电容特性

六、总结

本讲主要内容

第1章常用半导体器件

第1.3讲PN结伏安特性、击穿、电容

一、引言

第1章常用半导体器件

PN结还有哪些需要注意的特性？

PN结：

单向导电性！

第1.3讲PN结伏安特性、击穿、电容

二、PN结的电流方程

第1章常用半导体器件

第1.3讲PN结伏安特性、击穿、电容

UT:温度电压当量

IS称为反向饱和电流，对温度T敏感，T越大、IS越大。

常温（T~300K）下，UT=26mV

流过PN结的电流i与加在PN结上的电压u之间的关系

三、PN结的伏安特性曲线

第1章常用半导体器件

第1.3讲PN结伏安特性、击穿、电容

击穿！

随着u变大，i指数式上升

随着u变小，i基本不变、极小、为负

反向击穿电压

四、PN结的反向击穿特性

第1章常用半导体器件

第1.3讲PN结伏安特性、击穿、电容

如电流不超过一定限度，不烧坏PN结。

电击穿

齐纳击穿