NDS9955双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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NDS9955双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

1996年2月

N

NDS9955

双N沟道增强型场效应晶体管

概述特性

这些N沟道增强型功率场效应3.0A,50V。R0.13@V=10V。

DS(ON)GS

晶体管采用国家公司的专有度DMOS技术制造。这种非常高的密度

工艺是度单元设计,实现极低的R。

特别优化以最小化导通电阻,

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