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石墨烯材料研发与应用手册

第1章石墨烯材料基础与制备工艺

1.1石墨烯的结构特性与物理性质

石墨烯是由单层碳原子以sp2杂化轨道形成的二维蜂窝状晶格结构，其原子间距约为0.142nm，这种完美的六方晶格赋予了材料极高的平面堆积密度和巨大的比表面积（理论值约为2630m2/g）。在物理性质方面，石墨烯展现出“一维无限大、二维无限大、零维无限大”的特性，即具有极高的电子迁移率（室温下可达15000cm2/V·s）和极高的热导率（室温下可达5000W/m·K），远超铜和钻石。

其独特的能带结构导致石墨烯表现出零带隙（半金属特性），这使得电子可以在其中以极高的速度进行无散射运动，同时具备优异的机械强度，杨氏模量约为1TPa，是已知最强的非金属材料。从光学角度看，单层石墨烯在近红外波段具有极强的光吸收率（约2.3%），在可见光区呈现完美的透明性，且具有强烈的法拉第旋转效应，可用于高灵敏度光学传感器。电学性能上，石墨烯的载流子浓度极高，电子和空穴的迁移率分别可达10000和15000cm2/V·s，且在不同温度下表现出极低的电阻率，使其成为理想的导电基底。

石墨烯具有优异的化学稳定性，在常温常压下对酸、碱及有机溶剂均表现出极低的溶解度，且耐辐射性强，适用于极端环境下的电子器件封装。

1.2石墨烯的制备方法综述

化学气相沉积法（CVD）是将