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电子技术基础题库及解析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

本征半导体的本征激发过程是指（）

A.价电子获得能量挣脱共价键束缚，产生自由电子和空穴的过程

B.半导体原子失去外层电子，形成正离子的过程

C.自由电子与空穴复合，消失的过程

D.掺入杂质原子，改变半导体导电类型的过程

答案：A

解析：本征激发是本征半导体在温度或光照作用下，价电子获得足够能量挣脱共价键的束缚，从共价键中游离出来成为自由电子，同时在共价键中留下空穴的过程，这是半导体内部产生载流子的基本方式。选项B描述的是原子电离过程，不属于本征激发；选项C是载流子复合过程；选项D是掺杂过程，均不符合本征激发的定义。

PN结正向偏置的条件是（）

A.P区电位高于N区电位

B.N区电位高于P区电位

C.P区和N区电位相等

D.外加电压与内电场方向相同

答案：A

解析：PN结的内电场方向是从N区指向P区，正向偏置需要外加电压抵消内电场，因此P区接电源正极、N区接电源负极，即P区电位高于N区电位，选项A正确。选项B是反向偏置条件；选项C是零偏置状态；选项D外加电压与内电场相同的话，会增强内电场，属于反向偏置的情况，因此错误。

硅二极管的正向导通电压（死区电压）大约是（）

A.0.1V~0.2V

B.0.5V~0.7V

C.1.0V~1.2V

D.2.0V~2.2V

答案：B

解析：不同材料