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Sanan三安半导体碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）PB2024-D01说明书用户手册.pdf

Sanan三安半导体碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）PB2024-D01说明书用户手册.pdf

    三安第三代1200V碳化硅肖特基势垒二极管

    系统高效率、小型化的优选

    PB2024-D01产品简介

    作者：三安半导体应用工程师杨青海、游春林、姚晨

    三安的碳化硅肖特基势垒二极管（SiCSBD，以下简称碳化硅二极管）充分利用了碳化硅

    相对于硅的诸多优势，碳化硅器件比硅基器件更加耐高压、耐高温，而且没有反向恢复电荷。

    三安的第3代1200V碳化硅二极管，应用了三安先进的第3代二极管的制备技术，得益于极

    佳的性能参数（正向导通压降V，热阻R），使二极管拥有更低的导通损耗和更有效的器

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