CN119588436A 一种半均相阴离子选择性交换膜及其制备方法、应用 （武汉淡元格新型膜材料有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119588436A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411930168.2

(22)申请日2024.12.25

(71)申请人武汉淡元格新型膜材料有限公司

地址436032湖北省鄂州市葛店开发区光

谷联合科技城C2-3号厂房1号2层

(72)发明人熊冠东姜其斌徐劲峰姜强

(74)专利代理机构北京知联天下知识产权代理

有限公司11594

专利代理师李艳平

(51)Int.Cl.

B01J41/13(2017.01)

权利要求书1页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种半