CN119330308A 应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置 (山东志伟环保科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-15 发布于重庆
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CN119330308A 应用于半导体材料清洗刻蚀的高纯度臭氧浓缩工艺及装置 (山东志伟环保科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119330308A

(43)申请公布日2025.01.21

(21)申请号202411884071.2

(22)申请日2024.12.20

(71)申请人山东志伟环保科技有限公司

地址250000山东省济南市中国(山东)自

由贸易试验区济南片区工业南路61-

11号山钢新天地广场7号楼2-305室

(72)发明人牛凯马洪波刘毅刘金旭

徐广龙

(74)专利代理机构济南道为知识产权代理事务

所(普通合伙)37433

专利代理师蒲金培

(51)Int.Cl.

C01B13/10(2006.01)

B01D53/02(2006.01)

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