碳化硅单晶生长方法完整解析.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

子为原子可实现溶液法的晶体生长层表面的形态的提高法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态公开实质审查的生效授权公开实质审查的生效授权权利要求说明书碳化硅单晶的生长方法的权利要求说明书内容是请下载后查看说明书碳化硅单晶的生长方法的说明书内容(10)申请公布号

CN101796227B

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档