CN119731137A 氮化硅烧结体制晶片以及使用其的单晶体的制造方法 （株式会社东芝）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119731137A

(43)申请公布日2025.03.28

(21)申请号202380059567.3

(22)申请日2023.09.13

(30)优先权数据

2022-1451682022.09.13JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.13

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0332882023.09.13

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/058195JA2024.03.21

(71)申请人株式会社东芝

地址日本

申请人东芝高新材料公司

(72)发明人金原惠太佐佐木亮人

岩井健太郎

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

72002

专利代理师吴倩

(51)Int.Cl.

C04B35/587(2006.01)

H01L23/15(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

氮化硅烧结体制晶片以及使用其的单晶体

的制造方法

(57)摘要

CN119731137A平板状的氮化硅烧结体制晶片的特征在于：对于其至少一面，以通过该面的中心的多个线段作为基准长度的多个粗糙度曲线要素的平均长度RSm的平均值在100μm以上且350μm以下的范围内。此外，多个粗糙度