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N沟道屏蔽栅极功率MOSFET技术与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-18 发布于北京
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N沟道屏蔽栅极功率MOSFET技术与应用.pdf

    六月2013

    FDMC86340

    ®

    N沟道栅极功率沟槽MOSFET80V,48A,6.5m

    特性概述

    ◼栅极MOSFET技术此N沟道MOSFET是使用Fairchild生产的

    这种工艺已经针对导通电阻进行了优化，同时保持了优异的开关性

    ◼最大rDS(on)=6.5m在VGS=10V，ID=14A能。

    ◼最大r=8.5m在V=8V，I=12A◼高性优化后的导通电阻仍能保持卓越的开关性能。

    DS(on)GSD

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