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MMBTH34表面贴装NPN射频-中频放大器技术规格.pdfVIP

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  • 2026-06-18 发布于北京
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MMBTH34表面贴装NPN射频-中频放大器技术规格.pdf

    1985年10月

    MMBTH34表面贴装NPN射频‑中频放大器

    一般描述

    该器件设计用于在100mA至15mA范围内，频率高达

    300MHz的共射低噪声放大器和混频器应用，以及具有高

    输出电平的共基极VHF振荡器应用，适用于驱动FET混频

    器，且频率漂移低。

    集电极‑基极电压45V极‑基极电压4.0V集电极电流（连续）100mA工

    标记：

    作温度范围b55°C到温度范围b55°C到焊接温度（10秒）300°C注

    MMBTH34‑3K

    1：封装安装在99.5%氧化铝10x8x0.6mm上。

    参见流程47获取图表。

    电气特性TA=25°C，除非另有说明

    符号条件

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